Today.TechTalkThai.com IT News from Trusted Sources
ชิป 3D NAND ขนาดใหญ่ที่มีความหนาแน่นสูงที่สุดในโลก
พิสูจน์ความเป็นผู้นำด้านเทคโนโลยีอย่างต่อเนื่อง
กรุงเทพฯ ประเทศไทย —14 สิงหาคม 2561 – เวสเทิร์น ดิจิตอล คอร์ปอเรชั่น (NASDAQ: WDC) แถลงถึงความสำเร็จในการพัฒนา สถาปัตยกรรม 4 บิตต่อเซลล์ รุ่นที่ 2 สำหรับเทคโนโลยีหน่วยความจำชิป NAND แบบสามมิติ (3D NAND) ใช้งานกับอุปกรณ์ BiCS4 แบบ 96 เลเยอร์ ของบริษัทฯ เทคโนโลยี QLC มอบพื้นที่จัดเก็บข้อมูล 3D NAND สูงสุดที่ 1.33 เทระบิต (terabit) บนชิปเดี่ยว BiCS4 เกิดจากการพัฒนาร่วมกันระหว่างบริษัทคู่ค้า โตชิบา เมมโมรี่ คอร์ปอเรชั่น ที่โรงงานผลิตแฟลชสตอเรจในเมืองยกไกชิ (Yokkaichi) ประเทศญี่ปุ่น ในขณะนี้เป็นช่วงการทดสอบตัวอย่างและคาดว่าจะมีการจัดส่งสินค้าในปีปฏิทินนี้ โดยเริ่มจากผลิตภัณฑ์ภายใต้แบรนด์ SanDisk บริษัทฯ คาดว่าจะสามารถใช้ BiCS4 ในแอพพลิเคชันต่างๆ ได้หลากหลายตั้งแต่โซลิดสเตทไดร์ฟ (SSD) ร้านค้าปลีกจนถึงระดับองค์กร
“ด้วยการใช้ประโยชน์จากความสามารถในการการประมวลผลซิลิกอน วิศวกรรมอุปกรณ์และการรวมระบบของเวสเทิร์น ดิจิตอล เทคโนโลยี QLC ช่วยให้ 16 เลเยอร์ให้โดดเด่นที่จะรับรู้และใช้สำหรับการจัดเก็บข้อมูล” ดร. ศิวะ ศิวะราม รองประธานบริหาร ฝ่ายเทคโนโลยีหน่วยความจำของบริษัท เวสเทิร์น ดิจิตอล กล่าว “BiCS4 QLC เป็นอุปกรณ์ 4 บิตต่อเซลล์รุ่นที่สองของเราและสร้างจากการเรียนรู้จากการใช้งาน QLC ของเราในชิป BiCS3 แบบ 64 เลเยอร์ ด้วยโครงสร้างต้นทุนที่ดีที่สุดของทุกๆ ผลิตภัณฑ์ NAND BiCS4 ให้ความสำคัญกับจุดแข็งของเราในการพัฒนานวัตกรรมแฟลชที่ช่วยให้ข้อมูลของลูกค้าสามารถเติบโต ตอบโจทย์ผู้บริโภคตั้งแต่ร้านค้าปลีก อุปกรณ์เคลื่อนที่ อุปกรณ์แบบฝัง ลูกค้า และองค์กร เราคาดว่าเทคโนโลยี 4 บิตต่อเซลล์จะได้รับการใช้งานอย่างแพร่หลายในแอพพลิเคชันทั้งหมด”
###
เกี่ยวกับ เวสเทิร์น ดิจิตอล
เวสเทิร์น ดิจิตอล สร้างสภาพแวดล้อมสำหรับการเติบโตของข้อมูล บริษัทฯได้นำนวัตกรรมที่จำเป็นเพื่อช่วยให้ลูกค้าสามารถเก็บ รักษา เข้าถึง และแปลงความหลากหลายของข้อมูลที่เพิ่มมากขึ้น ข้อมูลมีอยู่ทุกที่ ตั้งแต่ศูนย์ข้อมูลขั้นสูงไปจนถึงเซ็นเซอร์มือถือไปจนถึงอุปกรณ์ส่วนบุคคล โซลูชันชั้นนำในอุตสาหกรรมของเราได้ส่งมอบความเป็นไปได้ของข้อมูล โซลูชันข้อมูลเป็นศูนย์กลางของ Western Digital® วางตลาดภายใต้แบรนด์ G-Technology™, HGST, SanDisk®, Tegile™, Upthere™ และ WD®
© 2018 Western Digital Corporation หรือเครื่องหมายของบริษัทในเครือ ทั้งหมดเป็นเครื่องหมายการค้าของเจ้าของนั้น ซึ่งสงวนลิขสิทธิ์ทั้งหมด โลโก้ Western Digital, G-Technology, SanDisk, Tegile, Upthere, WD, HelioSeal, และ Ultrastar เป็นเครื่องหมายจดทะเบียนหรือเป็นเครื่องหมายการค้าของเวสเทิร์น ดิจิตอล คอร์ปอเรชั่น หรือบริษัทในเครือในประเทศสหรัฐอเมริกาและ/หรือประเทศอื่นๆ เครื่องหมายอื่นทั้งหมดเป็นสมบัติของเจ้าของนั้น
แถลงการณ์การคาดการณ์ ในอนาคต
ข่าวประชาสัมพันธ์นี้มีแถลงการณ์การคาดการณ์ในอนาคตบางประการ ซึ่งรวมถึงวันที่คาดว่าจะวางจำหน่าย ราคาและประสิทธิภาพการทำงานของ อุปกรณ์เทคโนโลยีชิป 3D NAND แบบ 1.33 เทระบิต 4 บิตต่อเซลล์ 96 เลเยอร์ ของเวสเทิร์น ดิจิตอล มีปัจจัยหลายอย่างที่เกี่ยวกับการแถลงการณ์ ในอนาคตนี้ที่อาจเกิดความคลาดเคลื่อน ซึ่งรวมไปถึง การเปลี่ยนแปลงข้อกำหนดจากองค์กรมาตรฐาน ความผันผวนของสภาวะเศรษฐกิจโลก สภาพธุรกิจและการเติบโตในระบบนิเวศของระบบจัดเก็บข้อมูล ผลกระทบจากราคาและสินค้าคู่แข่ง การยอมรับในตลาดและราคาวัตถุดิบของสินค้าโภคภัณฑ์และชิ้นส่วนเฉพาะของสินค้า การกระทำจากคู่แข่งทางการค้า การแข่งขันทางด้านเทคโนโลยีที่ไม่คาดคิด การพัฒนาของเราและการแนะนำผลิตภัณฑ์ซึ่งใช้เทคโนโลยีใหม่ๆ และการขยายตัวเพื่อเข้าสู่ตลาดด้านการจัดเก็บใหม่ๆ การควบกิจการและการร่วมทุน ความยุ่งยากหรือความล่าช้าด้านการผลิต ปัจจัยด้านความเสี่ยงอื่นๆ และความไม่แน่นอน ตามรายงานจากคณะกรรมการกำกับหลักทรัพย์และตลาดหลักทรัพย์ (เรียกว่า “SEC”) รวมถึงรายงานตามช่วงเวลาล่าสุดซึ่งต้องการให้คุณได้ศึกษา เวสเทิร์น ดิจิตอล ไม่มีความตั้งใจใดๆ ในการปรับปรุงข้อมูลที่ปรากฏในข่าวประชาสัมพันธ์นี้ แบบฟอร์ม 10-Q ที่ยื่นต่อ SEC เมื่อวันที่ 8 พฤษภาคม 2018 คุณไม่ควรเชื่อมั่นในแถลงการณ์ที่เป็นการคาดการณ์ล่วงหน้าเหล่านี้โดยไม่ต้องพึ่งพาแถลงการณ์การคาดการณ์ ในอนาคตเหล่านี้ซึ่งพูดได้เฉพาะ ณ วันที่นี้และ บริษัท ไม่มีพันธะใด ๆ ในการปรับปรุงแถลงการณ์การคาดการณ์ ในอนาคตเหล่านี้เพื่อไตร่ตรองถึงเหตุการณ์หรือสถานการณ์ที่ตามมา
